0.1μF/275V D2  DF偏高原因分析
電容器是電子設備中使用量最大的組件之一，其中DF值為衡量電容器性能四大參數之一（容量、DF、絕緣、耐壓），其直接導致電容器使用中發熱。當電容器內部的發熱量大于向外散發的熱量時，電容器內部的溫度越來越高，最后導致電容器的熱擊穿。所以實際使用中電容器內部溫度升高是由電容器本身損耗產生的。
金屬化薄膜電容器采用金屬化薄膜卷繞、端面噴金屬并焊接引線，所以在生產過程中，DF值會成為質量控制的關鍵因素。金屬化薄膜電容器的損耗主要由介質部分與金屬部分（極板、極板與噴金層、噴金層與引線、引線）的損耗組成。
1、 介質部分的損耗
因為此產品采用聚丙烯薄膜生產，故介質損耗很小，所以其損耗偏高主要為金屬部分所導致。
2、 金屬部分的損耗     
金屬化薄膜電容器金屬部分的損耗由電容器的引出線損耗(CP線) 、CP線與噴金層的接觸損耗，噴金層與素子端面的接觸損耗及極板損耗共同組成。即可用下式表示:
tgδ=tgδ引+tgδ1+tgδ2+tgδ極
式中:
tgδ引 : 引線損耗
tgδ1  : CP線與噴金層的接觸損耗
tgδ2  : 噴金層與素子端面的接觸損耗
  tgδ極  : 極板損耗
2.1引線損耗
tgδ引 =wC*r引=2πfc*4/π*ρι/d2*kd
式中:
ρ:電阻率/Ω.cm；        d:直徑/ cm；      ι:長度/ cm；          k:與導線材料有關的常數銅的k=0.106       本公司采用鍍錫銅包鋼線線，所以上式簡化為：
tgδ引 =0.85*ρι/d2*f*C
     可見，其損耗與長度呈正比，與直徑呈反比,當使用在較高頻率時,引線損耗是不可忽略部分。
2.2極板損耗
金屬化薄膜電容器極板示意圖如下:

     r極 增大的原因一是金屬化膜在加工過程中的R□增大，另一原因是金屬層的氧化引起方阻增大，因此在素子卷繞過程中張力應均勻，素子不留空隙，防止金屬層氧化。
a)  CP線與噴金層的接觸損耗與噴金層與素子端面的接觸損耗
在焊接良好杰出的情況下, CP線與噴金層的接觸損耗tgδ1 應為0.而噴金層與素子端面的接觸損耗，由于存在一定的接觸電阻，所以噴金層的質量狀況很關鍵。電容器DF增大的主要原因也為此2個接觸點所決定。
輸出2.1KV 儲能2.5KV 脈沖試驗
一 試驗條件     
溫度: 25℃ 使用儀器: 脈沖測試儀  輸出電壓: 2100Vdc
濕度: 75% 有效日期: 2008/10/29  儲能電壓: 2500Vdc
試驗樣品)
0.1UF/275V D2

電容器的損耗功率p=V2* W*C*tgδ 由此可見在電壓，功率不變的情況下 tgδ增大將直接導致容器的損耗功率的增大。通過以上分析可見，應在以下方面采取改進措施。
1. 素子端面平整，不凹陷&抽芯。
2. 噴金作業嚴格依據SOP作業，不可隨意更改其參數。
3. 焊接頭之間的激勵調整適當，焊接壓力適中。
4. 焊接電流不宜過大,依據SOP設定。瞬間的電流過大會導致靠近引線部位的素子端面收縮，引起接觸電阻增大，采用短路充放電高頻(10KHz)可剔出早期失效良品。

報告人:鄭仕康